开发针对GaN晶圆出产而优化的KABRA工艺

  半导体制作设备厂商DISCO Corporation（总部：东京都大田区；总裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一种运用激光加工的晶锭切片办法），并开发了一种针对GaN（氮化镓）晶圆出产而优化的工艺。经过该工艺，能够一起进步GaN晶圆片产值，并缩短出产时刻。

  GaN作为功率器材资料，具有优胜的高速功率转化和传导进程中低功率损耗等特性，使其成为小规模电源和5G基站的有力竞争者。一起作为一种呼应全球碳中和需求的资料，GaN也成为了焦点。另一方面，GaN晶体生长需求一些时刻，且产出的晶锭直径小且厚度薄，因此是一种十分易损的资料。

  传统情况下，运用金刚石线锯是将GaN晶锭切成晶圆片的干流办法。但是，运用线锯进行切片时存在一些问题，例如加工时刻，切片部分的资料丢失比所用线的厚度还要大，以及为使外表平坦，切片后会进行研磨工艺，这一工艺的资料丢失导致产出晶圆片数量较少。以上这些导致晶圆价格昂贵，且阻止了GaN功率器材的遍及。

  自开发用于SiC（碳化硅）晶圆出产的KABRA工艺以来，DISCO一向收到许多制作商的恳求，期望将该工艺也应用于GaN。与SiC相同，GaN也是用于功率器材的新一代衬底资料。DISCO一直致力于研制，以完成针对GaN而优化的KABRA工艺，在本新闻稿中，该公司宣告此工艺已成为一项大规模出产技术。

  有用排出资料内发生的氮气，并在接近晶锭边际创立均匀的KABRA层以避免晶圆受损

  *2 从直径2英寸，厚度5毫米的GaN晶锭中出产指定厚度为400um（SEMI规范）的晶圆时

  *4 切开后运用多个金刚石线锯进行研磨工艺时，一切数值来源于用户的惯例数值

  *6 一起加工4个晶锭时，由线锯切开和研磨工艺所花时刻核算产出的晶圆数量回来搜狐，检查更加多