主流代工厂芯片制造工艺主要晶圆厂的最新工艺进展

  制造商是否有能力继续为广大购买的人提供更多的性能和功能。随着主流CMOS工艺在理论、实践和经济方面的限制，降低集成电路的成本(按功能或按性能)比以往任何一个时间里都更加关键和具有挑战性。IC Insights 2019年版的McClean报告数据显示，公司可以提供的面向逻辑的流程技术比以往任何一个时间里都更加多样化。图1列出了目前使用的几种领先的高级逻辑技术。主要节点之间的每个过程生成的衍生版本已成为常规事件。

  其在2018年末发布的第九代处理器代号为“Coffee Lake-S”，有时也被称为“Coffee Lake Refresh.”。英特尔表示，这些处理器是新一代产品，但它们似乎更像是对第8代产品的增强。细节尚不清楚，但这些处理器似乎是在14nm++工艺的增强版上制造的，或者可以认为是14nm++工艺。

  英特尔将于2019年推动10nm工艺的大规模生产，首批使用这个工艺的产品将是2018年12月推出的“Sunny Cove”系列处理器。从目前看来，Sunny Cove架构基本上取代了应该是原本计划在2019年推出的10纳米Cannon Lake架构。预计到2020年，10nm +衍生工艺将进入批量生产阶段。

  台积电的10nm finFET工艺于2016年底投入批量生产，短短两年间，他们已从10纳米快速地发展至7纳米。在台积电看来，7nm产品将成为继28nm和16nm之后的又一个长寿命节点。

  先进工艺方面，台积电5纳米工艺正在开发中，预计将于2019年上半年进入风险试产阶段，并于2020年进入量产。该工艺将使用EUV，但它不会是台积电利用EUV技术的第一个工艺。根据台积电规划，他们将在7nm技术的改进版本N7 +工艺的关键层（四层）上使用EUV光刻机。但N5工艺将普遍的使用EUV（最多14层）。N7 +计划于2019年第二季度开始批量生产。

  在2018年初，三星宣布开始批量生产名为0LPP（low power plus）的第二代10nm工艺。在2018年晚些时候，三星推出了名为10LPU（low power ultimate）的第三代10nm工艺，从另一个角度实现性能提升。与台积电不同的是，三星在10nm工艺上使用三重图案光刻技术，且三星认为其10纳米工艺系列（包括8纳米衍生产品）的生命周期将会很长。

  三星的7nm技术于2018年10月投入风险试产。与台积电不一样，三星不再提供采用浸没式光刻技术的7nm工艺，而是决定直接上马EUV的。据了解，三星该将EUV用于7nm的8-10层。

  格芯公司将其22nm FD-SOI工艺视为其主要市场，并与其14nm finFET技术相辅相成。按照他们的说法，22FDX平台的性能与finFET非常接近，但制造成本与28nm技术相同。

  2018年8月，GlobalFoundries宣布将停止7nm开发。按照他们的说法，做出这个决定一方面是由于先进的技术节点的生产所带来的成本大幅度的增加，另一方面是太少的代工客户计划使用下一代工艺，因此他们对其战略进行了重大转变。公司也调整了其研发工作，以逐渐增强其14nm和12nm finFET工艺及其完全耗尽的SOI技术的竞争力。

  前中芯国际第一代FinFET 14nm工艺已确定进入客户验证阶段，产品可靠度与良率逐步提升，同时12nm工艺开发也取得突破。 根据新闻媒体报道，中芯国际14nm工艺将在今年上半年投入大规模量产，良品率已高达95％。

  五十年来，集成电路技术的生产力和性能有了惊人的提高。虽然这个行业已经克服了摆在它面前的许多障碍，但这些障碍似乎慢慢的变大。尽管如此，集成电路设计人员和制造商正在开发的解决方案似乎更具革命性，而非渐进性，以增加芯片的功能。

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