12月24日，赛微电子（300456.SZ）发布了重要的公告称，公司全资子公司瑞典Silex以MEMS（微机电系统）工艺为某客户制造的OCS（光链路交换器件）完成了工艺及性能验证（工艺开发与试产的总耗费时间超过7年），并于2023年12月22日收到该客户发出的批量采购订单，瑞典Silex开始做MEMS-OCS的商业化规模量产。

  据介绍，MEMS-OCS基于8英寸MEMS工艺和设计技术制造，结构较为复杂精密，是一组由指定数量平面镜所构成的微镜阵列，可用于精确调节光链路的折射方向，实现光链路之间的信号切换与双向传播，提高运算系统的整体性能及稳定性，同时降低系统成本与功耗，可在数据中心网络、超算系统集群等场景中得到普遍应用。

  此前12月7日，谷歌推出最新AI加速芯片TPU v5p，进一步强化了0CS光交换技术的应用。谷歌大范围部署0CS交换机，其超级计算机通过OCS交换机能轻松地动态重新配置芯片之间的连接，有助于防止问题并实时调整以提高性能。

  0CS交换机将来带数据中心网络架构的重大变革，以此来降低功耗和成本。同时，谷歌OCS交换机核心在于MEMS反射镜组件，MEMS光开关预计将迎来强劲需求。

  赛微电子原身耐威科技从事导航业务和航空电子业务。2016年通过全资收购瑞通芯源获得全球领先的MEMS纯代工领域龙头瑞典公司Silex控股权，同年公司筹划建设FAB3的8英寸MEMS代工厂。

  赛微电子一边加码进军MEMS本土制造的决心，一边剥离非半导体业务。于2022年成功转型为一家以MEMS特色工艺为核心的半导体制造领军企业，为客户提供从MEMS工艺开发、晶圆制造到封装测试的一站式服务。

  MEMS业务慢慢的变成了赛微电子的主业，2023上半年公司实现总营收3.97亿元，其中，MEMS晶圆制造收入2.32亿元，占总营收58%，同比增长24.53%；MEMS工艺开发收入1.29亿元，占总营收33%，同比减少24.68%。

  不过由于下游需求减弱，以及北京FAB3仍处于运营初期的产能爬坡阶段，归母净利润亏损2744万元。

  其全资子公司Silex在MEMS工艺开发和代工领域深耕20年，根据23年中报援引YoleDevelopment统计，自2012年至今，公司全资子公司瑞典Silex在全球MEMS代工厂营收排名中稳居前五，在2019-2022年全球MEMS纯代工厂商排名中位居第一。

  赛微电子定位中游代工环节，MEMS行业存在产品品类多、工艺非标准化的特点，代工厂要一直进行工艺开发。而公司全资子公司Silex拥有164项国内及国际MEMS 核心专利，同时具备多项目并行开发的能力，能够完全满足客户多样化多批次需求。

  发展至今，赛维电子科技类产品覆盖领域广泛，其MEMS产品有消费电子领域的硅基麦克风、工业生产领域的惯性传感器、汽车和光通信领域的微镜、生物医学领域的微流控与芯片实验室、无线通信领域的射频芯片，以及光通信领域的硅光子等。

  产能方面，公司在瑞典拥有一座成熟运转的MEMS晶圆工厂，内含两条8英寸产线在当前阶段的定位仍属于中试+小批量产线万片晶圆。今年初赛微电子公告通过瑞典孙公司1.93亿元收购CoremScienceFastighetsAB100%股权协议，交易完成后，公司将在瑞典silex现有土地上自持物业，或在适当时机启动量产线产能建设，从而瑞典silex真正形成工艺开发+规模量产并行经营能力。

  同时赛微电子在北京也拥有一座处于建成运营初期、具备规模产能的MEMS晶圆工厂，内含一条8英寸产线。该座晶圆工厂也处于持续扩产状态，北京FAB3的定位属于规模量产线片晶圆/月，正陆续推动产能从当前的1万片/月向3万片/月产能扩充，并持续扩大晶圆类别及客户领域。

  随着MEMS晶圆制造业务的稳定发展以及扩产下规模效应的释放，其业务毛利水平得到恢复提升。2023上半年，公司MEMS业务的综合毛利率为33.52%，较上年同期基本持平；其中MEMS晶圆制造毛利率为32.57%，较上年上升16.33%。

  并且赛微电子发展一直紧扣MEMS市场顶级规模主力赛道，未来成长天花板高。

  根据Yole Development的研究预测，全球MEMS行业市场规模将从2021年的136亿美元增长至2027年的约223亿美元，复合增长率（CAGR）达9%，通讯、生物医疗、工业汽车及消费电子的应用增速均非常可观，其中通讯领域的复合增长率高达25%。

  而北京FAB3已实现硅麦克风、电子烟开关、BAW滤波器的量产，正在进行小批量试产MEMS气体传感器、生物芯片、微振镜。

  其中滤波器是射频MEMS市场核心器件，公司与武汉敏声合作共建的8英寸BAW滤波器联合产线年底通线，目前已实现多款BAW滤波器（含FBAR滤波器）规模量产，初期产能为2000片/月，后续可拓展至1万片/月。并且公司于2023年7月宣布与某客户签订长期协议，涉及12款不相同的型号的BAW滤波器及其衍生器件，且协议金额不少于1亿元。

  在高频通信时代，滤波器市场空间巨大，与此同时国产替代需求也极其迫切，赛微电子有望打破日美厂商垄断的市场格局，实现收入突破。

  氮化镓（GaN）作为第三代半导体具有宽带隙（3.4 eV）、击穿场强大（3.3 MW / cm）、电子饱和漂移速度高（2.7 * 107 cm / s）等物理结构优势。在光电器件以及高频高功率电子器件应用上具有广阔的前景。

  目前对GaN需求大幅度增长的行业包括5G市场、快充产品、LiDAR（激光雷达）。根据Yole数据，2020年全球GaN功率器件市场规模为4600万美元，预计将于2026年增长至11亿美元，年复合增长率达到70%。

  赛微电子的GaN业务以6-8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）、碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）等新型材料与芯片技术为基础，以专业方面技术及生产团队为条件，通过向GaN芯片设计、制造厂商研发、生产并销售外延材料，向通讯设备、数据中心、新型电源、智能家电等厂商研发、设计并销售GaN芯片获得销售收入。

  为了快速布局GaN产业链，赛微电子以参股公司聚能创芯的方式建设GaN芯片制造产线。并取得多项突破，在GaN外延材料方面，开始签订GaN外延晶圆的批量销售合同并陆续交付；在GaN芯片方面，且已推出数款GaN功率芯片产品并进入小批量试产。

  产能方面，聚能国际仍在推进GaN芯片制造产线片/月）的建设。并且公司GaN业务团队掌握了成熟的硅基GaN外延材料生长技术，其生产良率高于90%。

  不过，公司2023年6月公告，聚能创芯拟获得外部2.8亿元增资，增资完成后，公司的持股比例将从32.02%变更为25.02%，聚能创芯不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围。赛微电子表示将始终关注并重视第三代半导体产业及相关业务。

  未来，公司将面临市场之间的竞争加剧和技术创新的双重挑战，但同时也拥有巨大的成长机遇，特别是在国产替代和5G技术推广方面。