英特尔推出Hybrid Bonding混合键合封装技能 芯片凸点数量提高25倍

  英特尔近些年在CPU制作工艺上遇到瓶颈停滞不前，但这Intel在芯片封装工上也是没有停下脚步，近些年也是推出了各种先进的封装技能，这中心还包含咱们了解的3D Foveros封装技能、横向拼接Co-EMIB技能等等。

  而英特尔最近推出了一种全新的“混合键合”(Hybrid Bonding)，这套技能可做到更小的凸点距离，而且可替代当今大多数封装技能中运用的“热压结合”工艺。

  依据英特尔介绍，混合键合技能能够加快完成10微米及以下的凸点距离(Pitch)，供给更高的互连密度、更小更简略的电路、更大的带宽、更低的电容、更低的功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。

  Intel现在的3D Foveros立体封装技能，能够让逻辑芯片能够堆叠在一起，而其间的凸点距离在50微米左右，每平方毫米集成大约400个凸点，而运用新的混合键合技能，凸点距离缩小到10微米，每平方毫米的凸点数量更能到达1万个，增加了足足25倍。

  现在选用混合结合封装技能的测验芯片已于2020年第二季度流片，不过Intel没有泄漏会在哪些产品上运用这项技能。