新闻动态
当前位置:首页 > 新闻动态
“800V+”平台蓄势待发碳化硅如何接招?
来源:欧宝官方手机网页      发布时间:2024-02-15 17:04:55      


“800V+”平台蓄势待发碳化硅如何接招?


  当前的新能源汽车竞争中,为满足车主在续航和充电两方面的需求,各大车企已经将“800V高压充电平台”当作研发标配。在2023年年底小米SU 7发布会上,雷军更是表示小米自研的800V碳化硅高压平台实现了871V的最高电压。再早些时候,智己LS 6也宣称搭载了“准900V充电平台”。“800V+”的高压充电平台将有几率会成为新能源汽车行业新趋势。那么,为提升新能源利用效率立下了“汉马功劳”的碳化硅器件,在“800V+”时代,又会迎来什么挑战?

  “回顾电压从400V升级到800V,最重要的部件升级就是电驱系统,其中碳化硅的使用是电驱系统升级的要点。”安森美中国区汽车现场应用工程师Xia Chao告诉《中国电子报》记者,“而如果从800V升级到更高电压,核心在于如何平衡高耐压与低导通损耗的平衡。”

  高耐压性与低导通损耗,既是碳化硅器件的优势,也是其替代传统硅基IGBT器件的重要原因。高耐压性允许碳化硅在高压高热的工作环境下仍然能够保持高效的电能转换和充电效率;而低导通损耗则意味着器件在稳定工作时具有更低的功率损耗,电能转换效率更高。

  通常,碳化硅器件的制备,要经历“衬底—外延—设计—芯片制造—封装”等多重工序。要使碳化硅获得更高的耐压性,上述各工序都进行调整。

  首先,外延层的厚度与质量取决于衬底的质量,即衬底的缺陷密度水平,因此,要满足更高压的需求,碳化硅衬底的良率就要逐步提升,同时也需要寻找新技术来降低衬底缺陷对外延质量的影响;其次,外延生长的过程中也可能会产生新的缺陷,因此就需要进一步优化外延工艺,以降低新的缺陷密度;最后,在器件设计环节还需要将绝缘性能等其他因素统一考量,设计的复杂度也会增加。

  在通过上述途径提升器件耐压性的过程中,企业最关注的是成本问题。泰科天润半导体科技有限公司营销副总秋琪告诉《中国电子报》记者,要提升器件耐压性,外延层的厚度就要更高,相对应地其材料成本也会有所上升。另一方面,潜在风险的器件筛选方法也会更复杂,筛选成本也会随之增加。

  记者了解到,衬底和外延生长的过程占据了碳化硅器件生产工序60%~70%的成本。因此,如果碳化硅想要实现更高的耐压性,需要“花大手笔”才能从碳化硅的衬底阶段开始做技术升级。

  要满足高压平台的需要,在高耐压性之外,降低导通损耗也是重要的研发方向。而要降低导通损耗,首先要考虑的就是怎么来降低导通电阻。

  从现有技术来看,耐压性越强的器件外延越厚,更厚的外延就会导致器件总导通电阻增加。“耐高压”与“小电阻”之间似乎是一道矛盾命题。所以,在既有条件下尽可能降低沟道电阻乃至导通电阻,就要设计工艺的优化升级。

  当前常见的MOSFET结构工艺有平面栅和沟槽栅两种。前者由美国Cree公司于2010年首次推出,意法半导体也使用相同结构;后者则在2015年由日本罗姆实现量产,英飞凌则同样使用沟槽栅结构。平面栅结构工艺成熟而导通电阻较高;沟槽栅结构虽降低了导通电阻,但是实现的技术难度更大。

  “综合来看,平面栅(器件)在高击穿电压下具有更加好的性价比,沟槽栅(器件)在更低击穿电压下效率更加高。目前的平面栅的技术优势还远未耗尽。现有的沟槽栅产品在高温下性能和平面栅相差不大,因此还需继续设计和工艺优化。”深圳真茂佳半导体有限公司SiC平台经理任玉娇告诉记者。

  耐压性需要从衬底阶段开始提升质量,降低导通损耗需要工艺的精进,而这样的升级几乎覆盖了碳化硅从Wafer到封装的所有阶段。换句话说,打通碳化硅材料的产业链,有助于以衬底为起点进行创新。“假设客户存在对更高耐压性碳化硅的需求,想做一些较为前沿的开发,若能够在内部找到衬底资源、外延资源以及Fab资源,那么创新和反馈的效率都会提升很多。”安森美主驱产品线经理Clark Wang告诉记者。

  因此,各大功率器件公司都在产业链上加快布局。就在1月23日,英飞凌与Wolfspeed发布声明,宣布扩大并延长双方于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议;1月9日,英飞凌与韩国SK Siltron CSS签署协议,将获得后者提供的6英寸碳化硅晶圆。而在2023年7月5日,瑞萨电子宣布与Wolfspeed签订了为期10年、价值20亿美元的碳化硅晶圆裸片和衬底外延供应协议。安森美在垂直整合产业链上表现积极,2021年收购了GT Advanced Technologies,同时拓建捷克和韩国工厂,分别用以提升外延和Fab的能力。

  站在整车厂的角度,架构升级也可能左右整车厂的决策。“高压平台对碳化硅的制造工艺、工装设备、检测都提出了更加高的要求。而如果(碳化硅的耐压性)到达1700V,还有更高的要求——此时能与母线匹配的产品慢慢的变少,那整车厂的选型成本就会增加。”国家新能源汽车技术创新中心总经理原诚寅告诉记者。

  1、本站遵循行业规范,任何转载的稿件都会明确标注作者和来源;2、本站的个人独创的文章,请转载时务必注明文章作者和来源,不尊重原创的行为我们将追究责任;3、作者投稿可能会经我们编辑修改或补充;4、如本站的文章或图片存在版权,请拨打电话进行联系,我们将第一时间处理。

  12月26日,“2023中国电子报编辑选择奖”获奖名单正式出炉。本次评选采用企业自荐和编辑推荐两种方式,综合考量影响力、创新性、成长性等多重维度,围绕企业、技术、产品、解决方案等赛道评出20个奖项。

  12月21日,全国工业与信息化工作会议在京召开。会议坚持以习新时代中国特色社会主义思想为指导,全面贯彻党的二十大和二十届二中全会精神,深入学习贯彻习关于新型工业化的重要论述,认真落实中央经济工作会议和全国新型工业化推进大会部署要求,总结2023年工作,部署2024年任务。

  当前,全国工业与信息化系统正进一步深入学习党的二十大精神,将二十大精神贯彻落实到具体举措和实际行动。为深入学习宣传贯彻党的二十大精神,中国电子报推出“深入学习贯彻党的二十大精神·工信系统在行动”专栏,通过调研采访报道各地贯彻落实党的二十大精神的具体举措、典型案例,反映各地实干担当、求真务实的精神风貌。敬请关注。

  学习贯彻习新时代中国特色社会主义思想主题教育开展以来,全国工信系统牢牢把握“学思想、强党性、重实践、建新功”的总要求,多措并举扎实推进主题教育高质量开局、高标准起步。

  北京3月5日电 第十四届全国人民代表大会第一次会议5日上午在北京人民大会堂开幕。近3000名新一届全国人大代表肩负人民重托出席盛会,认真履行宪法和法律赋予的神圣职责。

  11月22—23日,2023全球数字贸易创新大赛总决赛在杭州举行。大赛是第二届全球数字贸易博览会重要活动之一,今年为首次举办。大赛设置人工智能元宇宙和区块链Web3.0两个赛道,吸引了近200家优秀企业及项目团队参与,其中,100余家入围半决赛,24家进入总决赛。

  10月19日,由工业与信息化部、江西省人民政府共同主办的2023世界VR产业大会在江西南昌开幕。江西省委书记、省人大常委会主任尹弘,工业与信息化部副部长徐晓兰,江西省委常委、南昌市委书记李红军出席开幕式并致辞。开幕式由江西省委副书记、省政府省长叶建春主持。

  9月7日-8日,由四川省人民政府、工业与信息化部主办的2023世界显示产业大会在四川省成都市召开。四川省委副书记、省长黄强,工业和信息化部党组成员、副部长张云明,重庆市政府党组成员、副市长江敦涛,德国联邦经济发展和对外贸易协会主席米夏埃尔·舒曼出席开幕式并先后致辞。

  5月8日-10日,由工业和信息化部、国家广播电视总局、中央广播电视总台、广东省人民政府共同主办的2023世界超高清视频产业高质量发展大会在广州召开。5月9日,广州市委副书记、市长郭永航,中央广播电视总台副台长胡劲军,国家广播电视总局副局长朱咏雷,工业与信息化部总工程师赵志国,广东省委副书记、省长王伟中出席开幕式并先后致辞。

  11月17日,由工业与信息化部、安徽省人民政府共同主办的2022世界集成电路大会在安徽省合肥市召开。安徽省委书记、省人大常委会主任郑栅洁出席会议。安徽省委副书记、省长王清宪,工业与信息化部党组成员、副部长王江平出席开幕式并致辞。