台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片

  存储器有关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列

  台积电在MRAM技术上的突破，特别是在22纳米、16/12纳米制程等领域，进一步巩固了其在存储器市场的领头羊。此外，该公司还成功获得了存储器、车用等市场的订单，进一步证明了其在技术创新和市场应用方面的实力。

  这一技术突破对于整个半导体行业来说都具备极其重大意义。随着5G物联网人工智能等技术的加快速度进行发展，对低功耗、高性能的存储器需求持续不断的增加。台积电的SOT-MRAM技术有望成为下一代存储器市场的重要竞争者，为各种应用场景提供更高效、可靠的存储解决方案。

  总的来说，台积电在次世代MRAM技术上的突破将为整个半导体行业带来积极的影响。随技术的慢慢的提升和市场需求的一直增长，期待台积电在未来的发展中继续引领行业创新，为全球用户更好的提供更优质的产品和服务。

  鉴于AI、5G新时代的到来以及无人驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫，如磁阻式随机存取内存（

  ) 器件已实现创纪录的性能，每比特开关能量低于100飞焦耳，耐用性超过10的15次方。

  有望成为替代SRAM的候选者 /

  。具有SPI总线接口、XIP(就地执行)性能和基于硬件/软件的数据保护系统。可以取代具有相同功能和非易失性的闪存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允许带宽扩展选项。

  中的波形，我发现 iMX RT1024 SRAM 操作存在一个问题。MR5A16A

  产品会取代独立存储器目前各厂商已经基本掌握了用于实现第一阶段应用的关键技术。在车载MCU中,通常是将设备工作时使用的sram存储器和用于存放程序的闪存集成在同一块

  MR3A16ACMA35可以在较慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上运行，但还允许系统模块设计人员利用

  应用于PLC产品上的特性 /

  -MTJ的高密度片上集成，同时研究不同的刻蚀工艺对器件磁电特性的影响，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发

  -PESDXS4UD_SER /

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